183NQ100R數據表
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 100V 電流-平均整流（Io） 180A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 950mV @ 180A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 4.5mA @ 100V 電容@ Vr，F 4150pF @ 5V, 1MHz 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 D-67 HALF-PAK 供應商設備包裝 HALF-PAK 工作溫度-結點 - |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 80V 電流-平均整流（Io） 180A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 950mV @ 180A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 4.5mA @ 80V 電容@ Vr，F 4150pF @ 5V, 1MHz 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 D-67 HALF-PAK 供應商設備包裝 HALF-PAK 工作溫度-結點 - |
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 - 二極管類型 Schottky 電壓-直流反向（Vr）（最大值） 100V 電流-平均整流（Io） 180A 電壓-正向（Vf）（最大值）@如果 950mV @ 180A 速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢復時間（trr） - 當前-反向泄漏@ Vr 4.5mA @ 100V 電容@ Vr，F 4150pF @ 5V, 1MHz 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 D-67 HALF-PAK 供應商設備包裝 HALF-PAK 工作溫度-結點 - |
