19MT050XF數據表
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 HEXFET® FET類型 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 500V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 31A Rds On（Max）@ Id，Vgs 220mOhm @ 19A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 6V @ 250µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 160nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 7210pF @ 25V 功率-最大 1140W 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 16-MTP Module 供應商設備包裝 16-MTP |
