2N4033UB數據表
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制造商 Microsemi Corporation 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 500mW 頻率-過渡 - 工作溫度 -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 3-SMD, No Lead 供應商設備包裝 UB |
制造商 Microsemi Corporation 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 500mW 頻率-過渡 - 工作溫度 -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 4-SMD, No Lead 供應商設備包裝 UA |
制造商 Microsemi Corporation 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 500mW 頻率-過渡 - 工作溫度 -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝 TO-18 |
