2N4036數據表
2N4036數據表
總頁數: 9
大小: 312.26 KB
ON Semiconductor
|
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 65V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 650mV @ 15mA, 150mA 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 40 @ 150mA, 10V 功率-最大 5W 頻率-過渡 - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝 TO-39 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1V @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 75 @ 100µA, 5V 功率-最大 800mW 頻率-過渡 - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝 TO-39 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 400mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 1mA, 5V 功率-最大 360mW 頻率-過渡 - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝 TO-18 |
