2N4123TAR數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 50 @ 2mA, 1V 功率-最大 625mW 頻率-過渡 250MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 50 @ 2mA, 1V 功率-最大 625mW 頻率-過渡 250MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 50 @ 2mA, 1V 功率-最大 625mW 頻率-過渡 250MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 50 @ 2mA, 1V 功率-最大 625mW 頻率-過渡 250MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 200mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 5mA, 50mA 當前-集電極截止（最大值） 50nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 50 @ 2mA, 1V 功率-最大 625mW 頻率-過渡 250MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 TO-92-3 |
