2N4237數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 600mV @ 100mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 30 @ 250mA, 1V 功率-最大 800mW 頻率-過渡 - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝 TO-39 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 1A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 600mV @ 125mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） - 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 30 @ 250mA, 1V 功率-最大 6W 頻率-過渡 - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 供應商設備包裝 TO-39 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 150mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值） 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 50 @ 10mA, 300mV 功率-最大 300mW 頻率-過渡 - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝 TO-18 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 50mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 12V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 130mV @ 100µA, 1mA 當前-集電極截止（最大值） 10nA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 30 @ 10mA, 300mV 功率-最大 300mW 頻率-過渡 - 工作溫度 - 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝 TO-18 |
