2N5116數據表
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制造商 Central Semiconductor Corp 系列 - FET類型 P-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） 30V 漏極至源極電壓（Vdss） - 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 5mA @ 15V 電流消耗（Id）-最大 - 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 1V @ 1nA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 25pF @ 15V 電阻-RDS（On） 150 Ohms 功率-最大 500mW 工作溫度 -65°C ~ 200°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 供應商設備包裝 TO-18 |
