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2N5655G數據表

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ON Semiconductor
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2N5655G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

10V @ 100mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 100mA, 10mV

功率-最大

20W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

TO-225AA

2N5655

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

250V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

10V @ 100mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 100mA, 10mV

功率-最大

20W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

TO-225AA

2N5657G

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

350V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

10V @ 100mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 100mA, 10V

功率-最大

20W

頻率-過渡

10MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

TO-225AA