2N6661JTXV02數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 860mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 50pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-39 包裝/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 860mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 50pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-39 包裝/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 860mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 50pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-39 包裝/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 860mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 50pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-39 包裝/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 860mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 50pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-39 包裝/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 860mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 50pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-39 包裝/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 860mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 50pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-39 包裝/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
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制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 90V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 860mA (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 5V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 4Ohm @ 1A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 50pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 725mW (Ta), 6.25W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-39 包裝/箱 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
