2N7002數據表
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics 系列 STripFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 200mA (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 2nC @ 5V Vgs(最大) ±18V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 43pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 350mW (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 SOT-23-3 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics 系列 STripFET™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 60V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 350mA (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3V @ 250µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 2nC @ 5V Vgs(最大) ±18V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 43pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 1W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-92-3 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |