2PB709AS數據表







制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 45V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 500mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止(最大值) 10nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 290 @ 2mA, 10V 功率-最大 250mW 頻率-過渡 80MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SMT3; MPAK |
制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 45V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 500mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止(最大值) 10nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 210 @ 2mA, 10V 功率-最大 250mW 頻率-過渡 70MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SMT3; MPAK |
制造商 NXP USA Inc. 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 45V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 500mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止(最大值) 10nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 160 @ 2mA, 10V 功率-最大 250mW 頻率-過渡 60MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 SMT3; MPAK |