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2SA1930數據表

2SA1930數據表
總頁數: 5
大小: 138.32 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
此數據表涵蓋了7零件號: 2SA1930,Q(J, 2SA1930,ONKQ(J, 2SA1930,LBS2DIAQ(J, 2SA1930,CKQ(J, 2SA1930(ONK,Q,M), 2SA1930(LBS2MATQ,M, 2SA1930(Q,M)
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2SA1930,Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,Q(J

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極（Ic）（最大值）

2A

電壓-集電極發射極擊穿（最大值）

180V

Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止（最大值）

5µA (ICBO)

直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220NIS
2SA1930,ONKQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,ONKQ(J

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極（Ic）（最大值）

2A

電壓-集電極發射極擊穿（最大值）

180V

Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止（最大值）

5µA (ICBO)

直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220NIS
2SA1930,LBS2DIAQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,LBS2DIAQ(J

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極（Ic）（最大值）

2A

電壓-集電極發射極擊穿（最大值）

180V

Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止（最大值）

5µA (ICBO)

直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220NIS
2SA1930,CKQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,CKQ(J

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極（Ic）（最大值）

2A

電壓-集電極發射極擊穿（最大值）

180V

Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止（最大值）

5µA (ICBO)

直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220NIS
2SA1930(ONK,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(ONK,Q,M)

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極（Ic）（最大值）

2A

電壓-集電極發射極擊穿（最大值）

180V

Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止（最大值）

5µA (ICBO)

直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220NIS
2SA1930(LBS2MATQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(LBS2MATQ,M

制造商

Toshiba Semiconductor and Storage

系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極（Ic）（最大值）

2A

電壓-集電極發射極擊穿（最大值）

180V

Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止（最大值）

5µA (ICBO)

直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220NIS
2SA1930(Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(Q,M)

制造商

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系列

-

晶體管類型

PNP

當前-集電極（Ic）（最大值）

2A

電壓-集電極發射極擊穿（最大值）

180V

Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic

1V @ 100mA, 1A

當前-集電極截止（最大值）

5µA (ICBO)

直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce

100 @ 100mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack

供應商設備包裝

TO-220NIS