2SB1188T100P數據表
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Rohm Semiconductor
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 32V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 800mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 82 @ 500mA, 3V 功率-最大 2W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-243AA 供應商設備包裝 MPT3 |
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 32V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 800mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 180 @ 500mA, 3V 功率-最大 2W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-243AA 供應商設備包裝 MPT3 |
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 32V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 800mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 120 @ 500mA, 3V 功率-最大 2W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-243AA 供應商設備包裝 MPT3 |
