2SB1375數據表
|
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 1.5V @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 500mA, 5V 功率-最大 2W 頻率-過渡 9MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 Full Pack 供應商設備包裝 TO-220NIS |
