2SC2482(T6TOJS數據表
2SC2482(T6TOJS數據表
總頁數: 5
大小: 134.17 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
此數據表涵蓋了2零件號:
2SC2482(T6TOJS,F,M, 2SC2482(FJTN,F,M)





制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 300V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1V @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 30 @ 20mA, 10V 功率-最大 900mW 頻率-過渡 50MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝 TO-92MOD |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 300V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 1V @ 1mA, 10mA 當前-集電極截止(最大值) 1µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 30 @ 20mA, 10V 功率-最大 900mW 頻率-過渡 50MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝 TO-92MOD |