2SC3225數據表
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 40V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 500mV @ 1mA, 300mA 當前-集電極截止（最大值） 10µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 500 @ 400mA, 1V 功率-最大 900mW 頻率-過渡 220MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 供應商設備包裝 TO-92MOD |
