2SC3332T-AA數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 700mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 160V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 400mV @ 25mA, 250mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 700mW 頻率-過渡 120MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 供應商設備包裝 3-NP |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 700mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 160V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 400mV @ 25mA, 250mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 200 @ 100mA, 5V 功率-最大 700mW 頻率-過渡 120MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 3-NP |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 700mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 160V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 400mV @ 25mA, 250mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 140 @ 100mA, 5V 功率-最大 700mW 頻率-過渡 120MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 3-NP |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 700mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 160V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 400mV @ 2mA, 20mA 當前-集電極截止(最大值) 100nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 100 @ 100mA, 5V 功率-最大 700mW 頻率-過渡 120MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 供應商設備包裝 3-NP |