2SC3669-Y數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC3669-Y,T2PASF(M, 2SC3669-Y(T2OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 2A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 80V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 500mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止(最大值) 1µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 70 @ 500mA, 2V 功率-最大 1W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 SC-71 供應商設備包裝 MSTM |
Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極(Ic)(最大值) 2A 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 80V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 500mV @ 50mA, 1A 當前-集電極截止(最大值) 1µA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 70 @ 500mA, 2V 功率-最大 1W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 SC-71 供應商設備包裝 MSTM |