2SC5566-TD-E數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 225mV @ 100mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 200 @ 500mA, 2V 功率-最大 1.3W 頻率-過渡 400MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-243AA 供應商設備包裝 PCP |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 4A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 50V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 340mV @ 100mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 200 @ 500mA, 2V 功率-最大 3.5W 頻率-過渡 400MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-243AA 供應商設備包裝 PCP |
