2SCR502UBTL數據表
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制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值） 200nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 200 @ 100mA, 2V 功率-最大 200mW 頻率-過渡 360MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-85 供應商設備包裝 UMT3F |
制造商 Rohm Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 500mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 30V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 300mV @ 10mA, 200mA 當前-集電極截止（最大值） 200nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 200 @ 100mA, 2V 功率-最大 150mW 頻率-過渡 360MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 SC-89, SOT-490 供應商設備包裝 EMT3F (SOT-416FL) |
