2SD1012G-SPA-AC數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 700mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 80mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 280 @ 50mA, 2V 功率-最大 250mW 頻率-過渡 250MHz 工作溫度 125°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 3-SIP 供應商設備包裝 3-SPA |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 700mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 80mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 160 @ 50mA, 2V 功率-最大 250mW 頻率-過渡 250MHz 工作溫度 125°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 3-SIP 供應商設備包裝 3-SPA |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 700mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 80mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 280 @ 50mA, 2V 功率-最大 250mW 頻率-過渡 250MHz 工作溫度 125°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 3-SIP 供應商設備包裝 3-SPA |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 700mA 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 15V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 80mV @ 10mA, 100mA 當前-集電極截止（最大值） 1µA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 160 @ 50mA, 2V 功率-最大 250mW 頻率-過渡 250MHz 工作溫度 125°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 3-SIP 供應商設備包裝 3-SPA |
