2SJ360(TE12L數據表
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Toshiba Semiconductor and Storage
此數據表涵蓋了2零件號:
2SJ360(TE12L,F), 2SJ360(F)
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制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 730mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 6.5nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 155pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 500mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PW-MINI 包裝/箱 TO-243AA |
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 1A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 730mOhm @ 500mA, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 2V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 6.5nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 155pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 500mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 PW-MINI 包裝/箱 TO-243AA |
