2SJ649-AZ數據表
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制造商 Renesas Electronics America 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 20A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 48mOhm @ 10A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 38nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1900pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 2W (Ta), 25W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-220 Isolated Tab 包裝/箱 TO-220-3 Isolated Tab |
