2SK3666-2-TB-E數據表
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ON Semiconductor
此數據表涵蓋了2零件號:
2SK3666-2-TB-E, 2SK3666-3-TB-E
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） - 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 600µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大 10mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 180mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4pF @ 10V 電阻-RDS（On） 200 Ohms 功率-最大 200mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 3-CP |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） - 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 1.2mA @ 10V 電流消耗（Id）-最大 10mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 180mV @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 4pF @ 10V 電阻-RDS（On） 200 Ohms 功率-最大 200mW 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 3-CP |
