2SK545-11D-TB-E數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 電壓-擊穿電壓（V（BR）GSS） - 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 當前-漏極（Ids）@ Vds（Vgs=0） 60µA @ 10V 電流消耗（Id）-最大 1mA 電壓-截止（VGS關閉）@ ID 1.5V @ 1µA 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 1.7pF @ 10V 電阻-RDS（On） - 功率-最大 125mW 工作溫度 - 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 3-CP |
