3LP01M-TL-H數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs 10.4Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1.43nC @ 10V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 7.5pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 150mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 3-MCP 包裝/箱 SC-70, SOT-323 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 100mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs 10.4Ohm @ 50mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1.43nC @ 10V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 7.5pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 150mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 3-MCP 包裝/箱 SC-70, SOT-323 |
