3N164數據表
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制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 50mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs 300Ohm @ 100µA, 20V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3.5pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 375mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-72 包裝/箱 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 50mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs 250Ohm @ 100µA, 20V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3.5pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 375mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-72 包裝/箱 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 50mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs 250Ohm @ 100µA, 20V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3.5pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 375mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-72 包裝/箱 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
制造商 Vishay Siliconix 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 40V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 50mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 20V Rds On（Max）@ Id，Vgs 250Ohm @ 100µA, 20V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 10µA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs - Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 3.5pF @ 15V FET功能 - 功耗（最大值） 375mW (Ta) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-72 包裝/箱 TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
