55GN01CA-TB-E數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 10V 頻率-過渡 4.5GHz 噪聲系數（dB Typ @ f） 1.9dB @ 1GHz 增益 9.5dB 功率-最大 200mW 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 100 @ 10mA, 5V 當前-集電極（Ic）（最大值） 70mA 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供應商設備包裝 3-CP |
