5LP01C-TB-H數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 70mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1.4nC @ 10V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 7.4pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 250mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 3-CP 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 50V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 70mA (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 1.5V, 4V Rds On（Max）@ Id，Vgs 23Ohm @ 40mA, 4V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 1.4nC @ 10V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 7.4pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 250mW (Ta) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 3-CP 包裝/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
