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8EWF12STR數據表

8EWF12STR數據表
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Vishay Semiconductor Diodes Division
此數據表涵蓋了4零件號: 8EWF12STR, 8EWF10STRL, 8EWF12S, 8EWF10S
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8EWF12STR

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

270ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

D-PAK (TO-252AA)

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

8EWF10STRL

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

270ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

D-PAK (TO-252AA)

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

8EWF12S

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

270ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

D-Pak

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

8EWF10S

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

270ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

D-Pak

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C