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APT11GF120BRDQ1G數據表

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Microsemi
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APT11GF120BRDQ1G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

25A

電流-集電極脈沖(Icm)

24A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 8A

功率-最大

156W

開關能量

300µJ (on), 285µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

7ns/100ns

測試條件

800V, 8A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247 [B]