APT17N80SC3G數據表
Microsemi 制造商 Microsemi Corporation 系列 CoolMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 800V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 17A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 290mOhm @ 11A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3.9V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 90nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2250pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 208W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D3Pak 包裝/箱 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Microsemi 制造商 Microsemi Corporation 系列 CoolMOS™ FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 800V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 17A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 290mOhm @ 11A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3.9V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 90nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2250pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 208W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 供應商設備包裝 TO-247-3 包裝/箱 TO-247-3 |