APT8018JN數據表
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制造商 Microsemi Corporation 系列 POWER MOS IV® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 180mOhm @ 20A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 4V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 700nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 14000pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 690W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 供應商設備包裝 ISOTOP® 包裝/箱 SOT-227-4, miniBLOC |
