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APTC80H29T1G數據表

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Microsemi
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APTC80H29T1G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

FET類型

4 N-Channel (H-Bridge)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2254pF @ 25V

功率-最大

156W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP1

供應商設備包裝

SP1