APTC80H29T1G數據表
Microsemi 制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能 Standard 漏極至源極電壓(Vdss) 800V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 15A Rds On(Max)@ Id,Vgs 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 3.9V @ 1mA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 90nC @ 10V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 2254pF @ 25V 功率-最大 156W 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 SP1 供應商設備包裝 SP1 |