APTC80H29T1G數據表
|
制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 800V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 15A Rds On（Max）@ Id，Vgs 290mOhm @ 7.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 3.9V @ 1mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 90nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2254pF @ 25V 功率-最大 156W 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 SP1 供應商設備包裝 SP1 |
