APTGF350A60G數據表
Microsemi 制造商 Microsemi Corporation 系列 - IGBT類型 NPT 配置 Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 600V 當前-集電極(Ic)(最大值) 430A 功率-最大 1562W Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 2.5V @ 15V, 360A 當前-集電極截止(最大值) 200µA 輸入電容(Cies)@ Vce 17.2nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 - 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 SP6 供應商設備包裝 SP6 |