APTGF50DH120T3G數據表
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制造商 Microsemi Corporation 系列 - IGBT類型 NPT 配置 Asymmetrical Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 1200V 當前-集電極（Ic）（最大值） 70A 功率-最大 312W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 3.7V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值） 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce 3.45nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 Yes 工作溫度 - 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 SP3 供應商設備包裝 SP3 |
