APTGF75DA60D1G數據表
Microsemi 制造商 Microsemi Corporation 系列 - IGBT類型 NPT 配置 Single 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 600V 當前-集電極(Ic)(最大值) 100A 功率-最大 355W Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 2.45V @ 15V, 75A 當前-集電極截止(最大值) 500µA 輸入電容(Cies)@ Vce 3.3nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 No 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 D1 供應商設備包裝 D1 |