APTGT20A60T1G數據表
Microsemi 制造商 Microsemi Corporation 系列 - IGBT類型 Trench Field Stop 配置 Half Bridge 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 600V 當前-集電極(Ic)(最大值) 32A 功率-最大 62W Vce(on)(Max)@ Vge,Ic 1.9V @ 15V, 20A 當前-集電極截止(最大值) 250µA 輸入電容(Cies)@ Vce 1.1nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 Yes 工作溫度 -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 SP1 供應商設備包裝 SP1 |