APTGT50DH60TG數據表
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制造商 Microsemi Corporation 系列 - IGBT類型 Trench Field Stop 配置 Asymmetrical Bridge 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 600V 當前-集電極（Ic）（最大值） 80A 功率-最大 176W Vce（on）（Max）@ Vge，Ic 1.9V @ 15V, 50A 當前-集電極截止（最大值） 250µA 輸入電容（Cies）@ Vce 3.15nF @ 25V 輸入 Standard NTC熱敏電阻 Yes 工作溫度 -40°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 SP4 供應商設備包裝 SP4 |
