APTM100A23SCTG數據表
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制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 2 N-Channel (Half Bridge) FET功能 Silicon Carbide (SiC) 漏極至源極電壓（Vdss） 1000V (1kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id） 36A Rds On（Max）@ Id，Vgs 270mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 308nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 8700pF @ 25V 功率-最大 694W 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 SP4 供應商設備包裝 SP4 |
