APTM100DA18T1G數據表
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制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 1000V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 40A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 216mOhm @ 33A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 570nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 14800pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 657W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 供應商設備包裝 SP1 包裝/箱 SP1 |
