APTM120DA29TG數據表
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制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 1200V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 34A (Tc) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 348mOhm @ 17A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 374nC @ 10V Vgs（最大） ±30V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 10300pF @ 25V FET功能 - 功耗（最大值） 780W (Tc) 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 供應商設備包裝 SP4 包裝/箱 SP4 |
