APTM120H57FT3G數據表
|
制造商 Microsemi Corporation 系列 - FET類型 4 N-Channel (H-Bridge) FET功能 Standard 漏極至源極電壓（Vdss） 1200V (1.2kV) 電流-25°C時的連續漏極（Id） 17A Rds On（Max）@ Id，Vgs 684mOhm @ 8.5A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID 5V @ 2.5mA 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 187nC @ 10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 5155pF @ 25V 功率-最大 390W 工作溫度 -40°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Chassis Mount 包裝/箱 SP3 供應商設備包裝 SP3 |
