ATP113-TL-H數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 P-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 60V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 35A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 4V, 10V Rds On（Max）@ Id，Vgs 29.5mOhm @ 18A, 10V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 55nC @ 10V Vgs（最大） ±20V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 2400pF @ 20V FET功能 - 功耗（最大值） 50W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 ATPAK 包裝/箱 ATPAK (2 leads+tab) |
