ATP218-TL-H數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓（Vdss） 30V 電流-25°C時的連續漏極（Id） 100A (Ta) 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） 2.5V, 4.5V Rds On（Max）@ Id，Vgs 3.8mOhm @ 50A, 4.5V Vgs（th）（最大）@ ID - 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs 70nC @ 4.5V Vgs（最大） ±10V 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds 6600pF @ 10V FET功能 - 功耗（最大值） 60W (Tc) 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 ATPAK 包裝/箱 ATPAK (2 leads+tab) |
