AUIRFR120ZTRL數據表
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies 系列 HEXFET® FET類型 N-Channel 技術 MOSFET (Metal Oxide) 漏極至源極電壓(Vdss) 100V 電流-25°C時的連續漏極(Id) 8.7A (Tc) 驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) 10V Rds On(Max)@ Id,Vgs 190mOhm @ 5.2A, 10V Vgs(th)(最大)@ ID 4V @ 25µA 門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs 10nC @ 10V Vgs(最大) ±20V 輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds 310pF @ 25V FET功能 - 功耗(最大值) 35W (Tc) 工作溫度 -55°C ~ 175°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 供應商設備包裝 D-Pak 包裝/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |