BC858CDW1T1G數據表
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 PNP (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 30V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止(最大值) 15nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 420 @ 2mA, 5V 功率-最大 380mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 PNP (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 30V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止(最大值) 15nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 420 @ 2mA, 5V 功率-最大 380mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 PNP (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 45V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止(最大值) 15nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 420 @ 2mA, 5V 功率-最大 380mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
ON Semiconductor 制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 2 PNP (Dual) 當前-集電極(Ic)(最大值) 100mA 電壓-集電極發射極擊穿(最大值) 65V Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic 650mV @ 5mA, 100mA 當前-集電極截止(最大值) 15nA (ICBO) 直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce 220 @ 2mA, 5V 功率-最大 380mW 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 -55°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 供應商設備包裝 SC-88/SC70-6/SOT-363 |