BD239TU數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 700mV @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 300µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 15 @ 1A, 4V 功率-最大 30W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 80V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 700mV @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 300µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 15 @ 1A, 4V 功率-最大 30W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 700mV @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 300µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 15 @ 1A, 4V 功率-最大 30W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 700mV @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 300µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 15 @ 1A, 4V 功率-最大 30W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN 當前-集電極（Ic）（最大值） 2A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 700mV @ 200mA, 1A 當前-集電極截止（最大值） 300µA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 15 @ 1A, 4V 功率-最大 30W 頻率-過渡 - 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-220-3 供應商設備包裝 TO-220-3 |
