BDP950E6327HTSA1數據表
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制造商 Infineon Technologies 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 60V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 500mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 85 @ 500mA, 1V 功率-最大 5W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 PG-SOT223-4 |
制造商 Infineon Technologies 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 500mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 85 @ 500mA, 1V 功率-最大 5W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 PG-SOT223-4 |
制造商 Infineon Technologies 系列 - 晶體管類型 PNP 當前-集電極（Ic）（最大值） 3A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 45V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 500mV @ 200mA, 2A 當前-集電極截止（最大值） 100nA (ICBO) 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 85 @ 500mA, 1V 功率-最大 5W 頻率-過渡 100MHz 工作溫度 150°C (TJ) 安裝類型 Surface Mount 包裝/箱 TO-261-4, TO-261AA 供應商設備包裝 PG-SOT223-4 |
