BDV65B數據表
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制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值） 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 2V @ 20mA, 5A 當前-集電極截止（最大值） 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 1000 @ 5A, 4V 功率-最大 125W 頻率-過渡 - 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-218-3 供應商設備包裝 SOT-93 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值） 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 2V @ 20mA, 5A 當前-集電極截止（最大值） 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 1000 @ 5A, 4V 功率-最大 125W 頻率-過渡 - 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-218-3 供應商設備包裝 SOT-93 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 PNP - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值） 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 2V @ 20mA, 5A 當前-集電極截止（最大值） 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 1000 @ 5A, 4V 功率-最大 125W 頻率-過渡 - 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-247-3 供應商設備包裝 TO-247 |
制造商 ON Semiconductor 系列 - 晶體管類型 NPN - Darlington 當前-集電極（Ic）（最大值） 10A 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） 100V Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic 2V @ 20mA, 5A 當前-集電極截止（最大值） 1mA 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce 1000 @ 5A, 4V 功率-最大 125W 頻率-過渡 - 工作溫度 -65°C ~ 150°C (TJ) 安裝類型 Through Hole 包裝/箱 TO-247-3 供應商設備包裝 TO-247 |
